[2016年01期]溅射法制备透明HfO_x薄膜及其阻变特性研究
发布时间：2016-12-09 浏览次数：
作 者：曾泽村;邱文彪;赖云锋 ZENG Ze-cun;QIU Wen-biao;LAI Yun-feng;
机构地区：福州大学,福建福州350108
出 处：《廊坊师范学院学报：自然科学版》 2016年第16卷第1期 47-50页,共4页
基 金：福建省自然科学基金（2015J01249）; 国家自然科学基金（61006003）
摘 要：采用溅射法制备的非晶结构HfO_x薄膜,其平均透射率超过80%,禁带宽度约为5.73 eV。以此制备的ITO/HfO_x/Ti阻变存储器,表现出稳定且可重复的双极性电阻开关行为,同时,常温下具有卓越的数据保持特性及良好的耐擦写特性。研究发现,ITO/HfO_x/Ti阻变存储器的低阻态电荷输运机制为欧姆传导机制,而高阻态下则以空间电荷限制电流机制（SCLC）为主导。